Hontai mesin dan peralatan (HK) co ltd

Tuhan membantu mereka yang membantu diri mereka sendiri,

Kreatif dan progresif, jujur.

Rumah
Produk
Tentang kita
Wisata pabrik
Kontrol kualitas
Hubungi kami
Quote request suatu
Rumah ProdukIGBT Power modul

Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

kualitas baik Katup Power Station untuk penjualan
kualitas baik Katup Power Station untuk penjualan
Bagus bekerjasama dengan Hontai. Cepat operasi seperti kita.

—— Froza Sia

Dapat diandalkan pemasok dan pelayanan yang baik, itu adalah tindakan yang baik bagi kita untuk menyediakan foto sebelum pengiriman.

—— Wister CS

Kami berdua memperlakukan satu sama lain sebagai saudara dan systers.Tetapi kita masih bekerja dengan prinsip-prinsip.Produk kontrol kualitas baik sebelum mengirimkan kepada kami.

—— R. Susai

I 'm Online Chat Now

Otomotif IGBT Modul Pengonversi Daya Tinggi FF1500R12IE5 Aktif Ganda 1500,0 A IGBT5 - E5

Cina Otomotif IGBT Modul Pengonversi Daya Tinggi FF1500R12IE5 Aktif Ganda 1500,0 A IGBT5 - E5 pemasok

Gambar besar :  Otomotif IGBT Modul Pengonversi Daya Tinggi FF1500R12IE5 Aktif Ganda 1500,0 A IGBT5 - E5

Detail produk:

Tempat asal: Cina
Nama merek: Infineon
Nomor model: FF1500R12IE5

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order: 1 Set
Kemasan rincian: Kemasan kotak kayu
Waktu pengiriman: 25 hari setelah penandatanganan kontrak
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Menyediakan kemampuan: 1000sets
Contact Now
Detil Deskripsi produk
VCES: 1200V IC nom: 1500A
ICRM: 3000 Aplikasi: Drive motor

PrimePACK ™ 3 + modul denganTrench / FieldstopIGBT5, EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 12

Aplikasi Potensial
• Sistem UPS
• Konverter daya tinggi
• Aplikasi surya
• Drive motor

Fitur Listrik
• T vj op = 175 ° C
• Temperatur operasi yang diperluas T vj op
• Ketangguhan yang tidak ada duanya
• Parit IGBT 5
• Kemampuan sirkuit pendek yang tinggi

Fitur Mekanis
• Paket dengan CTI> 400
• Kepadatan daya tinggi
• Daya tinggi dan kemampuan bersepeda termal
• Jarak rambat dan jarak bebas tinggi

Inverter IGBT
Nilai Nilai Maksimum

Tegangan kolektor-emitor Tvj = 25 ° C VCES 1200 V
Arus kolektor DC terus menerus TC = 100 ° C, Tvj maks = 175 ° C IC nom 1500 SEBUAH
Pengumpul puncak arus berulang tP = 1 ms ICRM 3000 SEBUAH
Gerbang tegangan puncak-emitor VGES +/- 20 V

Nilai Karakteristik min. typ. maks.

Tegangan saturasi kolektor-emitor IC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
IC = 1500 A, VGE = 15 V
Tvj = 25 ° C
Tvj = 125 ° C
Tvj = 175 ° C
VCE duduk 1,70
2,00
2,15
2,15
2,45
2,60
VVV
Tegangan ambang pintu gerbang IC = 41,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 ° C VGEth 5,25 5,80 6,35 V
Biaya gerbang VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 600V QG 7,15 μC
Hambatan gerbang internal Tvj = 25 ° C RGint 0,6 Ω
Masukan kapasitansi f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 82,0 nF
Membalikkan kapasitansi transfer f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,25 nF
Arus cutout kolektor-emitor VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25 ° C ES KRIM 5,0 mA
Gerbang-kebocoran arus emitor VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25 ° C IGES 400 nA
Waktu tunda giliran, beban induktif IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ± 15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25 ° C
Tvj = 125 ° C
Tvj = 175 ° C
td on 0,26
0,28
0,28
µs
µs
µs
Waktu naik, beban induktif IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ± 15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25 ° C
Tvj = 125 ° C
Tvj = 175 ° C
tr 0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
Turn-off delay time, beban induktif IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ± 15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25 ° C
Tvj = 125 ° C
Tvj = 175 ° C
td off 0,51
0,56
0,59
µs
µs
µs
Jatuh waktu, beban induktif IC = 1500 A, VCE = 600 V
VGE = ± 15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25 ° C
Tvj = 125 ° C
Tvj = 175 ° C
tf 0,09
0,11
0,13
µs
µs
µs
Turn-on rugi energi per pulsa IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ± 15 V, di / dt = 7900 A / µs (Tvj = 175 ° C)
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25 ° C
Tvj = 125 ° C
Tvj = 175 ° C
Keabadian 120
180
215
mJ
mJ
mJ
Matikan rugi energi per pulsa IC = 1500 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
VGE = ± 15 V, du / dt = 2750 V / µs (Tvj = 175 ° C)
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25 ° C
Tvj = 125 ° C
Tvj = 175 ° C
Eoff 155
195
220
mJ
mJ
mJ
Data SC VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE · di / dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 175 ° C
ADALAH C 5600 SEBUAH
Tahan panas, sambungan ke casing Setiap IGBT / per IGBT RthJC 19,5 K / kW
Tahan panas, casing untuk heatsink setiap IGBT / per IGBT
λPaste = 1 W / (m · K) / λgrease = 1 W / (m · K)
RthCH 12,5 K / kW
Suhu di bawah kondisi switching Tvj op -40 175 ° C

Rincian kontak
Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)