rincian produk

Rumah Produk

1200V Inverter Dual IGBT Setengah Jembatan Modul FF200R12KT4 Power Drive 62mm C-Series

Name: 1200V Inverter Dual IGBT Setengah Jembatan Modul FF200R12KT4 Power Drive 62mm C-Series
Brand: Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
SKU: FF200R12KT4
Price: 210.00 USD
Availability: InStock

Nama merek:	Infineon
Nomor Model:	FF200R12KT4
MOQ:	1 Set
Ketentuan Pembayaran:	T/T
Kemampuan Penyediaan:	1000sets

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Cina

VCES:

1200V

IC nom IC:

200A

IC:

320A

ICRM:

400A

Kemasan rincian:

Kemasan kotak kayu

Menyediakan kemampuan:

1000sets

Menyoroti:

modul igbt daya tinggi

igbt otomotif

Deskripsi Produk

setengah-jembatan 62mm C-series 1200 V, modul power modul IGBT inverter FF200R12KT4 power drive

Nilai Nilai Maksimum

Tegangan kolektor-emitor	Tvj = 25 ° C	VCES	1200	V
Arus kolektor DC terus menerus	TC = 100 ° C, Tvj maks = 175 ° C TC = 25 ° C, Tvj maks = 175 ° C	IC nom IC	200 320	SEBUAH SEBUAH
Pengumpul puncak arus berulang	tP = 1 ms	ICRM	400	SEBUAH
Total disipasi daya	TC = 25 ° C, Tvj maks = 175 ° C	Ptot	1100	W
Gerbang tegangan puncak-emitor		VGES	+/- 20	V

Nilai Karakteristik

Tegangan saturasi kolektor-emitor	IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25 ° C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125 ° C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150 ° C	VCE duduk		1,75 2,05 2,10	2,15	V VV
Tegangan ambang pintu gerbang	IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 ° C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Biaya gerbang	VGE = -15 V ... +15 V	QG		1,80		μC
Hambatan gerbang internal	Tvj = 25 ° C	RGint		3,8		Ω
Masukan kapasitansi	f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		14,0		nF
Membalikkan kapasitansi transfer	f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,50		nF
Arus cutout kolektor-emitor	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25 ° C	ES KRIM			5,0	mA
Gerbang-kebocoran arus emitor	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25 ° C	IGES			400	nA
Waktu tunda giliran, beban induktif	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C	td on		0,16 0,17 0,18		µs µs µs
Waktu naik, beban induktif	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C	tr		0,045 0,04 0,50		µs µs µs
Turn-off delay time, beban induktif	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C	td off		0,45 0,52 0,54		µs µs µs
Jatuh waktu, beban induktif	IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C	tf		0,10 0,16 0,16		µs µs µs
Turn-on rugi energi per pulsa	IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, di / dt = 4000 A / µs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C	Keabadian		10,0 15,0 17,0		19,0 30,0 36,0
Matikan rugi energi per pulsa	IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, du / dt = 4500 V / µs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C	Eoff		14,0 20,0 23,0		mJ mJ mJ
Data SC	VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE · di / dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150 ° C	ADALAH C		800		mJ mJ mJ
Tahan panas, sambungan ke casing	IGBT / per IGBT	RthJC			0,135	K / W
Tahan panas, caseto heatsink	SETIAP IGBT / per IGBT λPaste = 1 W / (m · K) / λgrease = 1 W / (m · K)	RthCH		0,034		K / W
Suhu di bawah kondisi switching		Tvj op	-40		150	° C